產(chǎn)品名稱：介電常數(shù)測試儀介紹
產(chǎn)品型號：LJD-B、LJD-C、QS-37
符合標準：GB/T1409、GB/T5594
產(chǎn)品用途：固體、液體絕緣材料的介電常數(shù)及介質(zhì)損耗測試
適用材料：橡膠塑料薄膜、陶瓷玻璃、絕緣材料、高分子材料等
測試范圍：10KHZ-70MHZ、100KHZ-160MHZ
主要配置：主機Q表、夾具、電感組成
測試項目：介電常數(shù)、介質(zhì)損耗、介質(zhì)損耗因數(shù)、介質(zhì)損耗角正切值
使用人群：科研所、教學、質(zhì)量、單位等
付款方式：全款發(fā)貨
產(chǎn)品品牌：縱橫金鼎
產(chǎn)品貨期：1-3個工作日
產(chǎn)品類別：電性能檢測儀器
介電常數(shù)測量儀LKI-2電感組
LKI-2型電感組共包括不同電感量的電感9個，凡儀器在進行測試線圈的分布電容量，電容器的電容量，高頻介質(zhì)損耗，高頻電阻和傳輸線特性阻抗等高頻電路和元件的電性能時，必須用電感組作輔助工具。
本電感組有較高Q值，能使儀器測量時得到尖銳諧振點，因而增加其測量的準確度，各電感的有關(guān)數(shù)據(jù)如下表：
電感No | 電感量 | 準確度% | Q值≥ | 分布電容約略值 | 諧振頻率范圍 MHz | 適合介電常數(shù)測試頻率 | |
LJD-B | LJD-C | ||||||
1 | 0.1μH | ±0.05μH | 180 | 5pF | 20~70 | 31~103 | 50MHz |
2 | 0.5μH | ±0.05μH | 200 | 5pF | 10~37 | 14.8~46.6 | 15MHz |
3 | 2.5μH | ±5% | 200 | 5pF | 4.6~17.4 | 6.8~21.4 | 10MHz |
4 | 10μH | ±5% | 200 | 6pF | 2.3~8.6 | 3.4~10.55 | 5MHz |
5 | 50μH | ±5% | 180 | 6pF | 1~3.75 | 1.5~4.55 | 1.5MHz |
6 | 100μH | ±5% | 200 | 6pF | 0.75~2.64 | 1.06~3.20 | 1MHz |
7 | 1mH | ±5% | 150 | 8pF | 0.23~0.84 | 0.34~1.02 | 0.5MHz |
8 | 5mH | ±5% | 130 | 8pF | 0.1~0.33 | 0.148~0.39 | 0.25MHz |
9 | 10mH | ±5% | 90 | 8pF | 0.072~0.26 | 0.107~0.32 | 0.1MHz |
介電常數(shù)測量儀附錄 二
一 如何測試帶粘性超薄絕緣材料的介電常數(shù)
1 用錫箔紙覆膠在材料的兩面，上下層錫箔紙不能接觸。錫箔紙厚度為DX;
2 超薄材料需要疊加：疊加方式如下
250μ貼合6層后測試；
200μ貼合8層后測試；
175μ貼合9層后測試；
125μ貼合12層后測試；
100μ貼合15層后測試；
75μ貼合20層后測試；
50μ貼合30層后測試。
3 計算公式
Σ＝(D2-2*DX)/(D4-2*DX)
4 介質(zhì)損耗系數(shù)測試同理
七、產(chǎn)品的交收檢驗
1．檢驗環(huán)境要求
a．環(huán)境溫度：20℃±2℃ 相對濕度<50％；
b．供電電源：220V±10V 50Hz±1Hz；
c．被檢設(shè)備要預(yù)熱30分鐘以上。
2．檢驗設(shè)備要求
a. 設(shè)備應(yīng)在計量后的有效使用期內(nèi)；
b. 檢驗設(shè)備應(yīng)按儀器規(guī)定預(yù)熱。
3．Q值指示檢驗
a．檢驗設(shè)備：BQG-2標準線圈一套；
b．把標準Q值線圈接入LJD-C測試儀電感接線柱上；
c．選擇標準Q值線圈所規(guī)定的檢定頻率；
d．LJD-C測試儀的Q值讀數(shù)的相對誤差應(yīng)符合二.1.C條固有誤差所規(guī)定。
4．調(diào)諧電容器準確度檢驗
a. 測試時如發(fā)現(xiàn)干擾，應(yīng)斷開內(nèi)部信號源。
b．設(shè)備連接如圖六所示，連接線應(yīng)盡量短，盡可能減小分布電容；
圖 六
c．電容測試儀技術(shù)指標
測試范圍：10-550pF、±5pF；
測試精度：10-550pF±0.1％、±5pF±0.05pF；
d．調(diào)諧電容器刻度盤上指示值與電容測試儀指示值之間誤差應(yīng)符合二.3.條規(guī)定。
5．頻率指示誤差檢驗
a．設(shè)備連接如圖七所示
圖 七
b．從后面板的頻率監(jiān)測端用BNC電纜連至頻率計數(shù)器輸入端；
c．頻率計數(shù)器技術(shù)要求
測量范圍：10Hz-1000MHz；
測量誤差：<1×10-6；
測量靈敏度：<30mV；
d．測試線要求：高頻電纜$YV-50-3；
e．-B測試儀頻率指示值與頻率計數(shù)器讀數(shù)值間的誤差應(yīng)符合二.4.條規(guī)定。
附：貼片元件測試夾具使用方法
當采用我公司生產(chǎn)的QBG-3D/3E及LJD-C測試儀及配上相應(yīng)的貼片元件測試夾具時可對貼片電容及貼片電感進行電容量、電感量及Q值、tgδ值的測量，測量時只要將測試夾具接入相應(yīng)的Lx或Cx接線柱內(nèi)，然后按說明書中“3”高頻線圈電感值的測量及“5”電容器電容量的測量方法進行測量。
注意：因貼片元件尺寸較小，規(guī)格又不盡相同，因此放入夾具時應(yīng)保持盡量居中并保證接觸良好。
在測量小電感時，為了測試值的正確性，測得的讀數(shù)應(yīng)減去儀器的測試回路的剩余電感值，QBG-3D約27nH，QBG-3E約26nH，LJD-C約7nH（包括測試夾具）。
ASTM D150-11
實心電絕緣材料的交流損耗特性和
電容率（介電常數(shù)）的標準試驗方法1
本標準是以固定代號D150發(fā)布的。其后的數(shù)字表示原文本正式通過的年號；在有修訂的情況下，為上一次的修訂年號；圓括號中數(shù)字為上一次重新確認的年號。上標符號（ε）表示對上次修改或重新確定的版本有編輯上的修改。
本標準經(jīng)批準用于所有機構(gòu)。
1.介電常數(shù)測試儀范圍
1.1 本試驗方法包含當所用標準為集成阻抗時，實心電絕緣材料樣本的相對電容率，耗散因子，損耗指數(shù)，功率因子，相位角和損耗角的測定。列出的頻率范圍從小于1Hz到幾百兆赫茲。
注1：在普遍的用法，“相對”一詞經(jīng)常是指下降值。
1.2 這些試驗方法提供了各種電極，裝置和測量技術(shù)的通用信息。讀者如對某一特定材料相關(guān)的議題感興趣的話，必須查閱ASTM標準或直接適用于被測試材料的其它文件。2,3
1.3 本標準并沒有列舉所有的安全聲明，如果有必要，根據(jù)實際使用情況進行斟酌。使用本規(guī)范前，使用者有責任制定符合安全和健康要求的條例和規(guī)范，并明確該規(guī)范的使用范圍。特殊危險說明見7.2.6.1和10.2.1。
1 本規(guī)范歸屬于電學和電子絕緣材料ASTM D09委員會管轄，并由電學試驗D09.12附屬委員分會直接管理。
當前版本核準于2011年8月1日。2011年8月發(fā)行。原版本在1922年批準。前一較新版本于2004年批準，即為 D150-98R04。DOI：10.1520/D0150-11。
2 R. Bartnikas, 第2章, “交流電損耗和電容率測量,” 工程電介質(zhì), Vol. IIB, 實心絕緣材料的電學性能, 測量技術(shù), R. Bartnikas, Editor, STP 926,ASTM, Philadelphia, 1987.
3 R. Bartnikas, 第1章, “固體電介質(zhì)損耗,” 工程電介質(zhì),Vol IIA, 實心絕緣材料的電學性能: 分子結(jié)構(gòu)和電學行為, R. Bartnikas and R. M. Eichorn, Editors, STP 783, ASTM, Philadelphia, 1983.
2.介電常數(shù)測試儀引用文件
2.1 ASTM標準：4
D374 固體電絕緣材料厚度的標準試驗方法
D618 試驗用塑料調(diào)節(jié)規(guī)程
D1082 云母耗散因子和電容率（介電常數(shù)）試驗方法
D1531 用液體位移法測定相對電容率（介電常數(shù)）與耗散因子的試驗方法
D1711 電絕緣相關(guān)術(shù)語
D5032 用飽和甘油溶液方式維持恒定相對濕度的規(guī)程
E104 用水溶液保持相對恒定濕度的標準實施規(guī)程
E197 室溫之上和之下試驗用罩殼和服役元件規(guī)程（1981年取消）5
3.介電常數(shù)測試儀術(shù)語
3.1 定義：
3.1.1 這些試驗方法所用術(shù)語定義以及電絕緣材料相關(guān)術(shù)語定義見術(shù)語標準D1711。
3.2 本標準術(shù)語定義：
3.2.1 電容，C，名詞——當導體之間存在電勢差時，導體和電介質(zhì)系統(tǒng)允許儲存電分離電荷的性能。
3.2.1.1 討論——電容是指電流電量 q與電位差V之間的比值。電容值總是正值。當電量采用庫倫為單位，電位采用伏特為單位時，電容單位為法拉，即：
C=q/V ?。?）
3.2.2 耗散因子（D），（損耗角正切），（tanδ），名詞——是指損耗指數(shù)（K''）與相對電容率（K'）之間的比值，它還等于其損耗角（δ）的正切值或者其相位角（θ）的余切值（見圖1和圖2）。
D=K''/K' (2)
4 相關(guān)ASTM標準，可瀏覽ASTM網(wǎng)站，astm.org或與ASTM客服service聯(lián)系。ASTM標準手冊卷次信息，可參見ASTM網(wǎng)站標準文件匯總。
5 該歷史標準的較后批準版本參考網(wǎng)站.astm.org。
3.2.2.1 討論——a：
D=tanδ=cotθ=Xp/Rp=G/ωCp=1/ωCpRp (3)
式中：
G=等效交流電導，
Xp=并聯(lián)電抗，
Rp=等效交流并聯(lián)電阻，
Cp=并聯(lián)電容，
ω=2πf（假設(shè)為正弦波形狀）
耗散因子的倒數(shù)為品質(zhì)因子Q，有時成為儲能因子。對于串聯(lián)和并聯(lián)模型，電容器耗散因子D都是相同的，按如下表示為：
D=ωRsCs=1/ωRpCp (4)
串聯(lián)和并聯(lián)部分之間的關(guān)系滿足以下要求：
Cp=Cs/(1 D2) (5)
Rp/Rs=(1 D2)/D2=1 (1/D2)=1 Q2 (6)
