mos管是金屬(metal)-氧化物(oxide)-半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或金屬-絕緣體(insulator)-半導(dǎo)體。MOS管的source和drain可以對(duì)調(diào)，它們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。大多數(shù)情況下，這兩個(gè)區(qū)域是一樣的，即使兩端對(duì)調(diào)，也不會(huì)影響設(shè)備的性能。這種設(shè)備被認(rèn)為是對(duì)稱的。
雙極晶體管放大輸入端電流的微小變化后，在輸出端輸出大的電流變化。雙極晶體管的增益定義為輸出輸入電流的比率。另一種晶體管，稱為場(chǎng)效應(yīng)管，將輸入電壓的變化轉(zhuǎn)化為輸出電流的變化。FET的增益等于其transconductance，定義為輸出電流的變化與輸入電壓的變化之比。市場(chǎng)上常見(jiàn)的是N通道和P通道。詳見(jiàn)右圖(N通道耗盡MOS管)。低壓MOS管是P通道中常見(jiàn)的。
![AM]{Y(7W8TVVRLJ[9ITH~1W.png](https://img76.hbzhan.com/0052540b3e6e2c7dc7e73bfa6dc5ffd80be3565e36e88bc69fced8ffa885e78853ce35b8d1c60c6f.png "AM]{Y(7W8TVVRLJ[9ITH~1W.png")
場(chǎng)效應(yīng)管通過(guò)在絕緣層上投影一個(gè)電場(chǎng)來(lái)影響流過(guò)晶體管的電流。事實(shí)上，沒(méi)有電流流過(guò)絕緣體，所以FET管的GATE電流非常小。FET使用薄層二氧化硅作為GATE極下的絕緣體。該晶體管稱為金屬氧化物半導(dǎo)體（MOS）晶體管，或金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）。由于MOS管更小，更省電，它們?cè)谠S多應(yīng)用程序中取代了雙極晶體管。
mos管優(yōu)勢(shì)。
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1.可用于放大。由于場(chǎng)效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高，耦合電容器容量小，無(wú)需使用電解電容器。
2.高輸入阻抗非常適合作為阻抗變換。常用于多級(jí)放大器的輸入級(jí)作為阻抗變換。
3.可用作可變電阻。
4.可方便地用作恒流源。
5.可用作電子開(kāi)關(guān)。
6.在電路設(shè)計(jì)中具有很大的靈活性。格柵偏壓可正負(fù)零，三極管只能在正偏下工作，電子管只能在負(fù)偏下工作。此外，輸入阻抗高，可減輕信號(hào)源負(fù)載，易于與前級(jí)匹配。
