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EIGER2 R CdTe-DECTRIS光子計(jì)數(shù)X射線探測(cè)器

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公司名稱北京優(yōu)納珂科技有限公司
品牌其他品牌
型號(hào)
所在地國(guó)外
廠商性質(zhì)代理商
更新時(shí)間2022/7/7 15:50:22
訪問(wèn)次數(shù)274

產(chǎn)品標(biāo)簽:

光子X(jué)射線探測(cè)器

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公司介紹主營(yíng)產(chǎn)品

北京優(yōu)納珂科技有限公司是德國(guó)Mar公司、德國(guó)STOE公司、英國(guó)牛津OxfordCryosystems公司在ZG的駐華銷(xiāo)售辦事處及售后服務(wù)ZX，同時(shí)也是瑞士DECTRIS公司在ZG的主要合作伙伴，包括ZG同步輻射領(lǐng)域的代理，專(zhuān)業(yè)從事X-射線散射及衍射結(jié)構(gòu)分析類(lèi)儀器及相關(guān)配件、耗材在國(guó)內(nèi)推廣、銷(xiāo)售及研發(fā)與生產(chǎn)，我們經(jīng)過(guò)不懈努力向客戶提供全集成的，高附加值的全領(lǐng)域解決方案。

我公司目前的主要產(chǎn)品為X-射線散射及衍射專(zhuān)業(yè)領(lǐng)域的所有應(yīng)用產(chǎn)品，主要包括生物大分子、小分子及高壓全套單晶衍射儀（XRD）、粉晶衍射儀（XRD），小角廣角X射線散射儀（SAXS/WAXS）、X射線成像,及配套的高低溫設(shè)備，高壓設(shè)備，拉伸裝置，X-光強(qiáng)度測(cè)試儀，各種配套用測(cè)角儀和樣品臺(tái)，ZX性能的探測(cè)器等全系列X射線結(jié)構(gòu)分析類(lèi)產(chǎn)品。
儀器設(shè)備的應(yīng)用覆蓋從基礎(chǔ)研究到工業(yè)質(zhì)量控制的材料性能表征，涉及元素分析，材料研究，結(jié)構(gòu)分析等等, 我們通過(guò)提供高精密度，高分辨率的儀器設(shè)備來(lái)保證包括化學(xué)，化工，冶金、石油，材料，制藥，半導(dǎo)體，生命科學(xué)，納米技術(shù)的企業(yè)客戶和學(xué)術(shù)研究單位對(duì)單晶及粉晶的結(jié)構(gòu)分析及各類(lèi)材料的小角廣角散射分析及創(chuàng)新型的科研需要。
- 對(duì)新型化合物、催化劑、醫(yī)藥, 天然產(chǎn)物，蛋白質(zhì)，核酸等需明確表征分子的三維（3D）原子結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)分析等
- 無(wú)機(jī)晶相，有機(jī)晶相，多功能材料等的物相定性、定量分析，礦物的X射線定性、定量分析等
- 納米結(jié)構(gòu)分析（形狀、尺寸和內(nèi)部結(jié)構(gòu)），分散穩(wěn)定性，顆粒成核現(xiàn)象，孔隙度（比表面），結(jié)晶度和取向，溶液中的生物大分子(Bio-SAXS)，納米結(jié)構(gòu)表面 (GISAXS)等。
我公司以提供YL的誠(chéng)信、質(zhì)量、效率為追求目標(biāo)，以*為依托，本著“信譽(yù)DY、客戶至上”的原則，提供專(zhuān)業(yè)的產(chǎn)品、技術(shù)服務(wù)與支持，滿足客戶日益復(fù)雜化和多樣化的需求。
歡迎來(lái)電來(lái)函咨詢有關(guān)業(yè)務(wù)。我們將以飽滿熱忱的服務(wù)讓您滿意！

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X射線衍射儀

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DECTRIS	0

EIGER2 R CdTe-DECTRIS光子計(jì)數(shù)X射線探測(cè)器產(chǎn)品信息

1.EIGER2 R CdTe: 高能量 HPC 技術(shù)的全面優(yōu)勢(shì)

EIGER2 R CdTe-X射線探測(cè)器將混合光子計(jì)數(shù) (HPC) 技術(shù)的新一代研發(fā)成果和碲化鎘感光器件的高量子效率集合在一起。因此，在使用高能量X射線源或需要雙波長(zhǎng)設(shè)置時(shí)，EIGER2 R CdTe-X射線探測(cè)器便會(huì)是您實(shí)驗(yàn)室的上佳選擇。作為德科特思（DECTRIS）公司的高超技術(shù)即時(shí)觸發(fā)技術(shù)帶來(lái)了完善的高計(jì)數(shù)率能力，以便更精確地測(cè)量實(shí)驗(yàn)室X射線源所能達(dá)到的高強(qiáng)度。EIGER2 R CdTe-X射線探測(cè)器配有兩個(gè)能量鑒別閾值，與上一代相比，在環(huán)境背景下具有更低的暗計(jì)數(shù)。這極大地提高了弱信號(hào)和長(zhǎng)時(shí)間曝光的信噪比，能夠在更短的測(cè)量時(shí)間內(nèi)提供更優(yōu)質(zhì)的數(shù)據(jù)質(zhì)量。單光子計(jì)數(shù)與連續(xù)讀/寫(xiě)數(shù)技術(shù)相結(jié)合，克服了所有積分探測(cè)器容易飽和以及動(dòng)態(tài)范圍有限的問(wèn)題。除此之外，直接探測(cè)計(jì)數(shù)配合 75μm 的小像素尺寸使得探測(cè)器具有更高的空間和角度分辨率。

2.核心優(yōu)勢(shì)

– 由于零背景噪音，出色的計(jì)數(shù)率和同時(shí)讀寫(xiě)，所以具有很高的動(dòng)態(tài)范圍

– 直接檢測(cè)和小像素尺寸以獲得光斑分離和最小背景重疊

– 雙能識(shí)別有助于抑制低能量和高能量的背景

– 由于直接檢測(cè) X 射線，沒(méi)有圖像滯后和余輝

3.應(yīng)用領(lǐng)域

– 大分子晶體學(xué)(MX)
– 化學(xué)晶體學(xué)
– 小角X射線散射和廣角X射線散射(SAXS/
WAXS）
– μCT

4、技術(shù)規(guī)格：

型號(hào)	EIGER2 R CdTe 500K	EIGER2 R CdTe 1M	EIGER2 R CdTe 4M	EIGER2 R CdTe 2M-W	EIGER2 XE CdTe 1M-W
有效面積：寬x高 [mm²]	77.1 X 38.4	77.1 x 79.7	155.1 x 162.2	311.1 x 38.4	155.1 x 38.4
像素大小 [μm²]	75 x 75
總像素?cái)?shù)量	1028x512	1028 x 1062	2068 x 2162	4148 x 512	2068 x 512
*幀頻 [Hz]**	100	100	20	50	100
計(jì)數(shù)器深度 [ bit ]	16	16	16	16	16
讀出時(shí)間	連續(xù)讀數(shù)
點(diǎn)擴(kuò)散函數(shù)	1 pixel
傳感器材料	CdTe
傳感器厚度 [μm]	750
能量范圍 [keV]	8-25 (8-100, with optional extended energy range calibration)
計(jì)數(shù)率 [ph/s/pixel]	5.5 x 10⁶
尺寸（WHD）[mm³]	114 x 133 x 242	235 x 237 x 372	340 x 370 x 500	400 x 430 x 500	340 x 370 x 500
重量 [kg]	3.7	4.7	15	9.7	5.8
冷卻方式	水冷（模塊）/風(fēng)冷（電子學(xué)）	水冷（模塊）/風(fēng)冷（電子學(xué)）	水冷（模塊）/風(fēng)冷（電子學(xué)）	水冷（模塊）/風(fēng)冷（電子學(xué)）	水冷（模塊）/風(fēng)冷（電子學(xué)）

**所有規(guī)格如有更改，恕不另行通知。

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關(guān)鍵詞：傳感器