關(guān)鍵參數(shù)特征
功能強(qiáng)大的SEM電子光學(xué)系統(tǒng)，采用高亮度的Schottky發(fā)射器為電子源，具有束流大，噪點(diǎn)低，非凡的成像能力等特點(diǎn)
In-Beam探測(cè)器能夠確保在極小的工作距離下仍能收集信號(hào)，進(jìn)行高品質(zhì)成像
采用Xe等離子體源的超快速FIB系統(tǒng)。 束流大，具有驚人的離子束切割速度，因此在切除大體積塊狀材料時(shí)卓有成效；同時(shí)較低的離子束流便于完成樣品表面拋光
電子束減速技術(shù)（BDT）助力于進(jìn)行超低著陸電壓下的成像
隔離材料的植入、摻雜或降解更少，這點(diǎn)對(duì)于半導(dǎo)體行業(yè)相當(dāng)重要
SEM與 FIB兩系統(tǒng)互補(bǔ)，即使用FIB進(jìn)行樣品切割或沉積時(shí)，可同時(shí)進(jìn)行SEM成像拍照
TESCAN電鏡的各種自動(dòng)化操作技術(shù)，如In-Flight Beam TracingTM技術(shù)可通過(guò)計(jì)算精確的調(diào)節(jié)高分辨率成像所需的參數(shù)設(shè)置（例如工作距離WD、放大倍率等）
DrawBeam 軟件模塊是一個(gè)便于進(jìn)行圖案設(shè)計(jì)的工具，3D功能亦很強(qiáng)大，使用它可在FIB切割或粒子束蝕刻等過(guò)程可實(shí)時(shí)獲取圖像
為3D EDX及3D EBSD等三維顯微分析技術(shù)帶來(lái)全新的解決方案
集成了飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜（TOF-SIMS）與 掃描探針顯微技術(shù)，可擴(kuò)展的大樣品室，使用戶能夠進(jìn)行6’’、8’’ and 12’’ 的晶片光刻檢驗(yàn)，12’’ 晶片光刻檢驗(yàn)是TESCAN電鏡的技術(shù)能力
氣體注入系統(tǒng) (GIS) 有助于使FIB完成更多應(yīng)用
高性能的電子成像能力，其成像速率可高達(dá)20 ns/pxl, 同時(shí)具備出色的沉積速率及超快的掃描速度
應(yīng)用實(shí)例
新材料及其形貌表征的研究
材料科學(xué)
制備薄片樣品 釬焊隆起界面細(xì)節(jié)觀察
生命科學(xué)
XEIA3聚焦離子束掃描電鏡的*成像能力，能夠在自然狀態(tài)下對(duì)多種生物樣品進(jìn)行觀察、成像。生物樣品不需要噴涂導(dǎo)電層，也不用進(jìn)行化學(xué)固定，因此整個(gè)分析過(guò)程大大簡(jiǎn)化，非常便于用戶操作。
微生物學(xué)
生物醫(yī)學(xué)工程
生物細(xì)胞與組織學(xué)
細(xì)胞鑒定
制藥學(xué)及制藥工程
動(dòng)力學(xué)過(guò)程的研究，如物質(zhì)晶化或溶解等過(guò)程
顆粒物特性研究，如顆粒尺寸、孔隙率、顆粒結(jié)構(gòu)及污染物等
功能強(qiáng)大的SEM電子光學(xué)系統(tǒng)，采用高亮度的Schottky發(fā)射器為電子源，具有束流大，噪點(diǎn)低，非凡的成像能力等特點(diǎn)
In-Beam探測(cè)器能夠確保在極小的工作距離下仍能收集信號(hào)，進(jìn)行高品質(zhì)成像
采用Xe等離子體源的超快速FIB系統(tǒng)。 束流大，具有驚人的離子束切割速度，因此在切除大體積塊狀材料時(shí)卓有成效；同時(shí)較低的離子束流便于完成樣品表面拋光
電子束減速技術(shù)（BDT）助力于進(jìn)行超低著陸電壓下的成像
隔離材料的植入、摻雜或降解更少，這點(diǎn)對(duì)于半導(dǎo)體行業(yè)相當(dāng)重要
SEM與 FIB兩系統(tǒng)互補(bǔ)，即使用FIB進(jìn)行樣品切割或沉積時(shí)，可同時(shí)進(jìn)行SEM成像拍照
TESCAN電鏡的各種自動(dòng)化操作技術(shù)，如In-Flight Beam TracingTM技術(shù)可通過(guò)計(jì)算精確的調(diào)節(jié)高分辨率成像所需的參數(shù)設(shè)置（例如工作距離WD、放大倍率等）
DrawBeam 軟件模塊是一個(gè)便于進(jìn)行圖案設(shè)計(jì)的工具，3D功能亦很強(qiáng)大，使用它可在FIB切割或粒子束蝕刻等過(guò)程可實(shí)時(shí)獲取圖像
為3D EDX及3D EBSD等三維顯微分析技術(shù)帶來(lái)全新的解決方案
集成了飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜（TOF-SIMS）與 掃描探針顯微技術(shù)，可擴(kuò)展的大樣品室，使用戶能夠進(jìn)行6’’、8’’ and 12’’ 的晶片光刻檢驗(yàn)，12’’ 晶片光刻檢驗(yàn)是TESCAN電鏡的技術(shù)能力
氣體注入系統(tǒng) (GIS) 有助于使FIB完成更多應(yīng)用
高性能的電子成像能力，其成像速率可高達(dá)20 ns/pxl, 同時(shí)具備出色的沉積速率及超快的掃描速度
渦輪分子泵及前級(jí)泵的高效能有利于保持樣品室的清潔度；電子槍通過(guò)離子吸氣泵獲得真空
為用戶需求提供具體解決方案
TESCAN公司不僅為用戶提供行業(yè)的*儀器設(shè)備，而且長(zhǎng)期致力于為研究者提供的技術(shù)支持以推動(dòng)人類(lèi)科學(xué)與技術(shù)的進(jìn)步 。XEIA3新型電鏡的推出，彰顯了TESCAN的這份使命感。同時(shí)，這點(diǎn)也體現(xiàn)在TESCAN積極地為用戶提供的定制化服務(wù)上。TESCAN愿攜手來(lái)自材料/生命科學(xué)以及半導(dǎo)體/工程等諸多行業(yè)領(lǐng)域的研究人員，共同迎接未來(lái)的挑戰(zhàn)。
Xe等離子體源，極大地?cái)U(kuò)展FIB的應(yīng)用能力
XEIA3型電鏡為雙束聚焦掃描電子顯微鏡，同時(shí)集成了以Xe等離子體為離子源的FIB系統(tǒng)和具有超高分辨率的SEM系統(tǒng)。FIB和SEM兩系統(tǒng)的協(xié)同作用，能夠完成一項(xiàng)迄今為止尚未實(shí)現(xiàn)的功能——以極快的速度進(jìn)行大塊材料的FIB切割去除。同時(shí)，SEM電子顯微系統(tǒng)具有低于2nm的分辨率，能夠幫助科學(xué)研究或高科技產(chǎn)業(yè)開(kāi)發(fā)并完成更多的應(yīng)用。而且，大束流的等離子體離子源也能大大擴(kuò)展該電鏡的使用范圍，幫助用戶完成更多工作。
應(yīng)用實(shí)例
半導(dǎo)體和微電子領(lǐng)域
Xe等離子體源的FIB系統(tǒng)，能夠?yàn)橛脩籼峁└涌焖俦憬莸募夹g(shù)手段，使其更好地利用能譜（EDX）、波譜（WD）等化學(xué)成分分析方法，更能夠充分發(fā)揮3D EDX和3D EBSD的功能及特點(diǎn)。同時(shí)，XEIA3還能夠搭載飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜（TOF-SIMS），用于進(jìn)行優(yōu)異分辨率的表面分析。以上可知，XEIA3是一個(gè)功能超級(jí)全面的分析平臺(tái)，其在材料科學(xué)領(lǐng)域所呈現(xiàn)的研究能力顯而易見(jiàn)。
新材料及其形貌表征的研究
晶體、陶瓷及高分子等非導(dǎo)電材料研究
復(fù)雜結(jié)構(gòu)碳納米管的圖案結(jié)構(gòu)觀察
碳納米管 Ag納米線
材料科學(xué)
XEIA3雙束聚焦離子束掃描電鏡配有大功率Xe等離子體源FIB系統(tǒng)，特別適合半導(dǎo)體和微電子行業(yè)的檢測(cè)和應(yīng)用。用戶可采用大束流進(jìn)行快速FIB切割，大束流也適用于制備材料薄層切片或切割較大橫截面；使用中等束流進(jìn)行拋光，并去除表面加工痕跡；小束流用于進(jìn)行切割截面或薄層切片最后的精拋光。另外，FIB進(jìn)行離子刻蝕能夠獲得更好的蝕刻圖案分辨率。
制備薄片樣品 釬焊隆起界面細(xì)節(jié)觀察
生命科學(xué)
XEIA3聚焦離子束掃描電鏡的*成像能力，能夠在自然狀態(tài)下對(duì)多種生物樣品進(jìn)行觀察、成像。生物樣品不需要噴涂導(dǎo)電層，也不用進(jìn)行化學(xué)固定，因此整個(gè)分析過(guò)程大大簡(jiǎn)化，非常便于用戶操作。
微生物學(xué)
生物醫(yī)學(xué)工程
生物細(xì)胞與組織學(xué)
細(xì)胞鑒定
制藥學(xué)及制藥工程
動(dòng)力學(xué)過(guò)程的研究，如物質(zhì)晶化或溶解等過(guò)程
顆粒物特性研究，如顆粒尺寸、孔隙率、顆粒結(jié)構(gòu)及污染物等
白鼠大腦組織 一組纖維母細(xì)胞細(xì)節(jié)觀察
