RTM660C無(wú)接觸式硅片厚度電阻率測(cè)試系統(tǒng)
RTM660C采用高精度的厚度及電阻率探頭，配以強(qiáng)大的軟件控制，可以用多種方式進(jìn)行無(wú)接觸式測(cè)量，使得測(cè)試過(guò)程變得十分高效。系統(tǒng)采用一體化設(shè)計(jì)，結(jié)構(gòu)緊湊，安裝方便。使用者在操作平臺(tái)上轉(zhuǎn)動(dòng)硅片，測(cè)試數(shù)據(jù)可即時(shí)顯示，并可對(duì)測(cè)試數(shù)據(jù)進(jìn)行分析處理。高精度電容式厚度探頭和電渦流式電阻率探頭，保證測(cè)試結(jié)果精確且穩(wěn)定。RTM660C可廣泛使用于研究、生產(chǎn)及質(zhì)檢等場(chǎng)所，友好的人機(jī)交互界面，使用相當(dāng)便捷。
技術(shù)參數(shù)
■ 硅片規(guī)格：
方片125x125mm、156x156mm
圓片3″、4″、5″、6″、8″
■ 測(cè)試功能
厚度：?jiǎn)吸c(diǎn)及多點(diǎn)厚度
TTV：總厚度偏差
體電阻率：?jiǎn)吸c(diǎn)及多點(diǎn)體電阻率
■ 測(cè)試指標(biāo)
厚度范圍：150～1000μm
測(cè)量誤差：≤±1.0μm
重復(fù)性：≤±0.20μm
TTV范圍：0.00μm～200.00μm
測(cè)量誤差：≤±0.50μm
重復(fù)性：≤±0.20μm
體電阻率范圍：0.1Ω.cm~30.0Ω.cm
測(cè)量誤差：≤±3%
重復(fù)性：≤1.5%
■ 設(shè)備尺寸/重量：470mm（L）x420mm（W）x600mm（H）/20Kg
■ 測(cè)試環(huán)境要求：溫度范圍15～27℃
■ 濕度范圍：35%～85%
■ 電源要求：220VAC,50Hz
■ 控制器：高性能主機(jī)
系統(tǒng)演示
系統(tǒng)操作演示
北京羲和陽(yáng)光科技發(fā)展有限公司是一家新能源科技公司，致力于太陽(yáng)能光伏產(chǎn)業(yè)。提供光伏生產(chǎn)所用硅料的分選、檢驗(yàn)、檢測(cè)設(shè)備及相關(guān)設(shè)備配件，幫助您識(shí)別高質(zhì)量的硅料，減少采購(gòu)或銷(xiāo)售的風(fēng)險(xiǎn)。
我公司經(jīng)營(yíng)的主要產(chǎn)品有：硅料分選測(cè)試儀(電阻率，PN型識(shí)別)、電阻測(cè)試儀、排重?fù)綔y(cè)試儀、少子壽命測(cè)試儀、測(cè)厚儀、碳氧磷硼含量測(cè)試儀，表面線(xiàn)痕測(cè)試儀，光譜橢偏儀，透過(guò)率測(cè)試儀、相關(guān)產(chǎn)品配件，以及鎵摻雜劑、母合金摻雜劑，異丙醇，雙氧水等耗材。
羲和的名稱(chēng)來(lái)源于中國(guó)的太陽(yáng)神羲和女神，作為太陽(yáng)能光伏產(chǎn)業(yè)的一份子，為提高太陽(yáng)能電池生產(chǎn)過(guò)程的可控性，較大限度的減少過(guò)程風(fēng)險(xiǎn)，羲和科技在不懈追求、積極探索，我們深感肩頭的重任，我們會(huì)倍加努力，持之以恒，給您提供*質(zhì)的產(chǎn)品、*惠的價(jià)格和Z滿(mǎn)意的服務(wù)。(關(guān)于羲和女神的故事)
硅料檢測(cè)分選儀 單晶P/N型測(cè)試儀 碳氧含量測(cè)試儀 硅片紅外探傷儀
RTM660C無(wú)接觸式硅片厚度電阻率測(cè)試系統(tǒng) 產(chǎn)品信息
