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SIC碳化硅器件參數(shù)測試儀-華科智源

參考價	￥ 200
訂貨量	≥1臺

具體成交價以合同協(xié)議為準

公司名稱深圳市華科智源科技有限公司
品牌
型號ITC57300
所在地深圳市
廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家
更新時間2020/10/29 11:00:48
訪問次數(shù)1308

產(chǎn)品標簽:

IGBT測試儀 IGBT測試儀設(shè)備 IGBT靜態(tài)測試儀 IGBT靜態(tài)參數(shù)測試儀功率半導體測試儀

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公司介紹主營產(chǎn)品

深圳市華科智源科技有限公司，是一家專業(yè)從事功率半導體測試系統(tǒng)自主研發(fā)制造與綜合測試分析服務(wù)的高新技術(shù)企業(yè)，坐落于改革開放之都-中國深圳，核心業(yè)務(wù)為半導體功率器件智能檢測準備研制生產(chǎn)，公司產(chǎn)品主要涉及SMT*檢測儀，MOS管直流參數(shù)測試儀，MOS管動態(tài)參數(shù)測試儀，IGBT動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)，IGBT靜態(tài)參數(shù)測試儀，在線式檢修用IGBT測試儀，變頻器檢修用IGBT測試儀，IGBT模塊測試儀，軌道交通檢修用IGBT測試儀，風力發(fā)電檢修用IGBT測試儀，產(chǎn)品以高度集成化、智能化、高速高精度、超寬測試范圍等競爭優(yōu)勢，將廣泛應用于IDM廠商、器件設(shè)計、制造、封裝廠商及高校研究所等；
華夏神州，科技興國，智能創(chuàng)新，源遠流長；華科智源公司核心團隊由華中科技大學等國內(nèi)高校研究所、行業(yè)應用專家等技術(shù)人才組建，致力于中國功率半導體事業(yè)，積極響應國家提出的中國制造2025戰(zhàn)略，投身于半導體測試設(shè)備。
深圳華科智源科技有限公司-，功率器件測試方案供應商，2025中國制造 • 芯片設(shè)計及封裝 • 新能源及軌道交通 • 來料選型。

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首件檢測儀,首件檢測系統(tǒng)，SMT智能首件檢測儀，首樣檢測，首板確認

產(chǎn)品簡介在線詢價

測量范圍	igbt mos bjt	測量精度	Vcesat Vgeth lces lges
外形尺寸	500（寬）x 450（深）x 250（高）cm；mm	用途	檢修地鐵汽車
重量	30kg

SIC碳化硅器件參數(shù)測試儀-華科智源
測試品種覆蓋面廣、測試精度高、電參數(shù)測試全、速度快、有良好的重復性和一致性、工作穩(wěn)定可靠，具有保護系統(tǒng)和被測器件的能力。被測器件可通過圖形顯示，系統(tǒng)軟件功能全、使用靈活方便、操作簡單。系統(tǒng)軟件穩(wěn)定可靠、硬件故障率低，在實際測試應用中各項技術(shù)指標均可達到器件手冊技術(shù)指標及國標要求。

SIC碳化硅器件參數(shù)測試儀-華科智源產(chǎn)品信息

SIC碳化硅器件參數(shù)測試儀-華科智源

ITC57300是美國ITC公司設(shè)計生產(chǎn)的高集成度功率半導體分立器件動態(tài)參數(shù)測試設(shè)備，采用測試主機+功能測試頭+個性板的測試架構(gòu)，可以滿足N溝道、P溝道器件、雙極晶體管等的各項動態(tài)參數(shù)的測試要求，且具有波形實時顯示分析功能，是目前具水平的完備可靠的動態(tài)參數(shù)測試設(shè)備。
ITC57300動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)主機可執(zhí)行非破壞性的瞬態(tài)測量測試，包括對半導體器件絕緣柵雙極晶體管（IGBT），功率MOSFET，二極管，雙極型器件的測試頭。主機包括所有測試設(shè)備和必要的軟件分析，可執(zhí)行電阻和電感的開關(guān)時間，開關(guān)損耗，柵極電荷，TRR /的Qrr和其他瞬態(tài)測試。
ITC57300能力

測試電壓：大1200 VDC 200（短路電流可達1000A）
定時測量：為1 ns
漏電流限制監(jiān)視器
- MOSFET開關(guān)時間測試， Max VDD =1.2KV,0.1V Steps
- MOSFET,Diodes Qrr/Trr反向恢復時間測試，Max VDD=1.2KV, 0.1V Steps
- Qrr range：1nc~100uc，Trr range：10ns~2us
- MOSFET柵電荷Qg測試，Max VDD =1.2KV,0.1V Steps
- IGBT感性開關(guān)時間測試，Max VDD =1.2KV,0.1V Steps，Inductors range：0.1mH~159.9mH
- IGBT短路耐量測試，Max ISC=1000A
測試標準：
- MIL-STD-750 Series

ITC57300mos管IGBT功率器件動態(tài)參數(shù)測試儀選項

額外的電源供應器
額外的測試頭
大包裝適配器

ITC57300mos管IGBT功率器件動態(tài)參數(shù)測試儀測試頭

ITC57210 - N-通道和P-通道功率MOSFET，MIL-STD-750方法3472開關(guān)時間
ITC57220 - TRR /電源，MOSFET和二極管的Qrr，MIL-STD-750方法，3473
ITC57230 - 柵極電荷功率MOSFET，MIL-STD-750方法3471
ITC57240 - 電感式開關(guān)時間為IGBT，MIL-STD 750方法3477
ITC57250 - （ISC）短路耐受時間，MIL-STD-750方法3479

ITC57300mos管IGBT功率器件動態(tài)參數(shù)測試儀系統(tǒng)特點

很容易改變的測試頭
在不同參數(shù)的自動化測試
堅固耐用的PC兼容計算機
用戶友好的菜單驅(qū)動軟件
可編程測試出紙槽
電子表格兼容的測試數(shù)據(jù)
可選內(nèi)部電感負載
GPIB可編程測試設(shè)備
四通道高帶寬數(shù)字示波器
脈沖發(fā)生器
1200V電源

ITC57300mos管IGBT功率器件動態(tài)參數(shù)測試儀安全特性

測試頭高電壓互鎖
接收端的高電壓互鎖
高速漏極供電開關(guān)

ITC57210 開關(guān)時間測試頭

此測試頭以美軍標 MIL-STD-750, Method 3472，驗證功率器件MOSFETs,P溝道和N溝道的開關(guān)時間。所測量的參數(shù)包括：Time Delay On [td(on)],Rise Time(tr),Time Delay Off [td(off)],Fall Time(tf)

SIC碳化硅器件參數(shù)測試儀-華科智源

首先，驅(qū)動電路中的電感電流上升，電流升到所設(shè)定的值時，電源會被切開。電感內(nèi)的的電流會通過被測器件中的二極管排放。經(jīng)過一段短時間后，驅(qū)動器再次啟動，致使器件中的二極管經(jīng)歷反向恢復動作。由此所捕捉到的波形經(jīng)過分析后便能取得反向恢復時間，電流和累積電荷等數(shù)據(jù)。

ITC57230 柵電荷測試頭

ITC57230對功率器件MOSFETs的柵電荷能力以美軍標MIL-STD-750, Method 3471進行考驗。

先給MOSFET管的柵極加電壓，在柵極打開時，把一個恒電流，高阻抗的負載接到MOSFTE管的漏極。

當漏極電流攀爬到用戶設(shè)定的數(shù)值時，被測器件的柵電荷可通過向漏極導通可編程恒流源放電（或P溝道器件，向源極導通）。通過監(jiān)視柵電壓和波形下各部分的面積便可計算出電荷量。

ITC57240 感性負載開關(guān)時間測試頭

ITC57240測試頭以美軍標MIL-STD-750, Method 3477的定義，實行感性負載開關(guān)時間測試。

IGBT驅(qū)動器會在電感圈內(nèi)產(chǎn)生測試電流。當斷開時，電流會通過寄生(齊納)二極管。在這瞬間，打開和關(guān)閉DUT器件開始對開關(guān)時間和開關(guān)能量進行測試。當它開關(guān)時，DUT器件能觀察到流入電感圈里的測試電流和橫跨齊納二極管的電壓，而不受續(xù)流二極管所產(chǎn)生的任何反向恢復因素所影響。

ITC57250 短路耐量測試頭

ITC57250以美軍標MIL-STD-750, Method 3479的定義，實行短路耐抗時間測試。

在某些電路，如馬達驅(qū)動電路，半導體器件須有能力抗衡并頂住短時間的短路狀況。此測試就是用于驗證器件在短路情況下所能承受的耐抗時間。器件內(nèi)的電流是取決于器件的放大值(gain)和所使用的驅(qū)動脈寬。

ITC57260 結(jié)電容/柵極等效電阻測試頭 Rg, Ciss, Coss & Crss

此測試頭應用頻率掃描和固定電感圈，找出所形成的RLC電路的共振點然后進行對功率器件MOSFET的柵極電阻測量。它同時也測量器件的輸入電容(Ciss),輸出電容(Coss)和反向電容(Crss).

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關(guān)鍵詞：監(jiān)視器