檢測項(xiàng)目 | 覆蓋產(chǎn)品 | 檢測能力 | 參考標(biāo)準(zhǔn) | |||
功率循環(huán)試驗(yàn)(PC) | IGBT模塊 | ΔTj=100℃ 電壓電流大1800A 12V | IEC 客戶自定義 | |||
高溫反偏試驗(yàn)(HTRB) | MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR,第三代半導(dǎo)體器件等單管器件 | 溫度150℃; 電壓2000V | 美軍標(biāo),國標(biāo),JEDEC,IEC,AEC,客戶自定義等 | |||
高溫門極試驗(yàn)(HTGB) | MOSFET、SiC MOS等單管器件 | 溫度150℃; 電壓2000V | 美軍標(biāo),國標(biāo),JEDEC,IEC,AEC,客戶自定義等 | |||
高溫工作壽命試驗(yàn)(HTOL) | MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、第三代半導(dǎo)體器件等單管器件 | 溫度150℃ 電壓2000V | 美軍標(biāo),國標(biāo),JEDEC,IEC,AEC,客戶自定義等 | |||
低溫工作壽命試驗(yàn)(LTOL) | MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、第三代半導(dǎo)體器件等單管器件 | 溫度-80℃ 電壓2000V | 美軍標(biāo),國標(biāo),JEDEC,IEC,AEC,客戶自定義等 | |||
高溫儲(chǔ)存試驗(yàn)(HTSL) | MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、IGBT模塊、第三代半導(dǎo)體器件等產(chǎn)品及其他電子產(chǎn)品 | 溫度150℃; | 美軍標(biāo),國標(biāo),JEDEC,IEC,AEC,客戶自定義等 | |||
低溫儲(chǔ)存試驗(yàn)(LTSL) | MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、IGBT模塊、第三代半導(dǎo)體器件等產(chǎn)品及其他電子產(chǎn)品 | 溫度-80℃ | 美軍標(biāo),國標(biāo),JEDEC,IEC,AEC,客戶自定義等 | |||
高溫高濕試驗(yàn)(THB) | MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、IGBT模塊、第三代半導(dǎo)體器件等產(chǎn)品及其他電子產(chǎn)品 | 溫度180℃ 濕度范圍:10%~98% | 美軍標(biāo),國標(biāo),JEDEC,IEC,AEC,客戶自定義等 | |||
高低溫循環(huán)試驗(yàn)(TC) | MOSFET、IGBT、IDIODE、BJT、SCR、IC、IGBT模塊、第三代半導(dǎo)體器件等產(chǎn)品及其他電子產(chǎn)品 | 溫度范圍:-80℃~220℃ | 美軍標(biāo),國標(biāo),JEDEC,IEC,AEC,客戶自定義等 | |||
間歇壽命試驗(yàn)(IOL)功率循環(huán)試驗(yàn)(PC) | MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半導(dǎo)體器件等單管器件 | ΔTj≧100℃ 電壓電流48V,10A | 美軍標(biāo),國標(biāo),JEDEC,IEC,AEC,客戶自定義等 | |||
穩(wěn)態(tài)功率試驗(yàn)(SSOL) | MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半導(dǎo)體器件等單管器件 | ΔTj≧100℃ 電壓電流48V,10A | 美軍標(biāo),國標(biāo),JEDEC,IEC,AEC,客戶自定義等 | |||
高加速應(yīng)力試驗(yàn)(HAST) | MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半導(dǎo)體器件等產(chǎn)品及其他電子產(chǎn)品 | 溫度130℃/110℃ 濕度85% | 美軍標(biāo),國標(biāo),JEDEC,IEC,AEC,客戶自定義等 | |||
*無偏壓的高加速應(yīng)力試驗(yàn)(UHAST) | MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半導(dǎo)體器件等產(chǎn)品及其他電子產(chǎn)品 | 溫度130℃ 濕度85% | 美軍標(biāo),國標(biāo),JEDEC,IEC,AEC,客戶自定義等 | |||
高溫蒸煮試驗(yàn)(PCT) | MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半導(dǎo)體器件等產(chǎn)品及其他電子產(chǎn)品 | 溫度121℃ 濕度 | 美軍標(biāo),國標(biāo),JEDEC,IEC,AEC,客戶自定義等 | |||
預(yù)處理試驗(yàn)(Pre-con) | 所有SMD類型器件 | 設(shè)備滿足各個(gè)等級(jí)的試驗(yàn)要求 | 美軍標(biāo),國標(biāo),JEDEC,IEC,AEC,客戶自定義等 | |||
潮氣敏感度等級(jí)試驗(yàn)(MSL) | 所有SMD類型器件 | 設(shè)備滿足各個(gè)等級(jí)的試驗(yàn)要求 | 美軍標(biāo),國標(biāo),JEDEC,IEC,AEC,客戶自定義等 | |||
*可焊性試驗(yàn)(Solderability) | MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、第三代半導(dǎo)體器件等單管器件 | 有鉛、無鉛均可進(jìn)行 | 美軍標(biāo),國標(biāo),JEDEC,IEC,AEC,客戶自定義等 |
西安長禾半導(dǎo)體技術(shù)有限公司功率器件測試實(shí)驗(yàn)室(簡稱長禾實(shí)驗(yàn)室)位于西安市*經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū),是一家專業(yè)從事功率半導(dǎo)體器件測試服務(wù)的*,是國家CNAS 認(rèn)可實(shí)驗(yàn)室,屬于國家大功率器件測試服務(wù)中心。
長禾實(shí)驗(yàn)室擁有的系統(tǒng)設(shè)備、專業(yè)的技術(shù)團(tuán)隊(duì)和完善的服務(wù)體系。實(shí)驗(yàn)室現(xiàn)有*的測試儀器設(shè)備100余臺(tái)套,專業(yè)測試人員20余名。我們緊跟國內(nèi)標(biāo)準(zhǔn),以客戶需求為導(dǎo)向,不斷創(chuàng)新服務(wù)項(xiàng)目和檢測技術(shù),借助便利的服務(wù)網(wǎng)絡(luò),為合作伙伴提供優(yōu)質(zhì)高效的技術(shù)服務(wù)。
長禾實(shí)驗(yàn)室專注于功率半導(dǎo)體器件的動(dòng)、靜態(tài)參數(shù)檢測、可靠性檢測、失效分析、溫循試驗(yàn)、熱阻測試等領(lǐng)域的技術(shù)服務(wù)。業(yè)務(wù)范圍主要涉及國內(nèi)軌道交通、風(fēng)力發(fā)電、科研單位、院所、工業(yè)控制、兵器船舶、航天、新能源汽車等行業(yè)。也是第三代半導(dǎo)體(寬禁帶半導(dǎo)體)應(yīng)用解決方案服務(wù)商。
長禾實(shí)驗(yàn)室秉承創(chuàng)新務(wù)實(shí)的經(jīng)營理念,為客戶提供優(yōu)質(zhì)的服務(wù)、完善的解決方案及;同時(shí)注重與行業(yè)企業(yè)、高校和科研院所的合作與交流,測試技術(shù)與服務(wù)水平不斷提升。
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