化成泊電源介紹：

化成箔是生產(chǎn)鋁電解電容器的關(guān)鍵原材料。隨著電子工業(yè)飛速發(fā)展，鋁電解容器的使用更加廣泛，小型化、長壽命、高可靠的要求日益迫切，而化成箔加工技術(shù)成為鋁電解電容器制造的三大核心技術(shù)之一。高比容鋁箔屬國家鼓勵和支持的新型電子功能材料，是制造鋁電解電容器的關(guān)鍵原材料，屬于中間產(chǎn)品，融合了機械、電子、化工、金屬材料等多學科技術(shù)及相關(guān)產(chǎn)業(yè)。腐蝕賦能鋁箔的比容是制約大容量鋁電解電容器體積的關(guān)鍵所在，高比容、高強度是電容器用化成鋁箔今后發(fā)展的技術(shù)趨勢。

化成箔的完整產(chǎn)業(yè)鏈為：精鋁（高純度鋁錠）--電子鋁箔（光箔）--腐蝕箔――化成箔--鋁電解電容器--電子整機。化成箔的品質(zhì)關(guān)系著電容器的使用壽命，間接的影響電子整機的使用壽命。因此，化成箔的品質(zhì)對整個電子工業(yè)的發(fā)展都具有深刻的意義。

腐蝕箔的工藝流程為：電子鋁箔（光箔）--退火--前處理--電化學腐蝕--化學腐蝕--水洗--烘干--腐蝕箔?；刹墓に嚵鞒虨椋焊g箔--前處理--*級化成--第二級化成--第三級化成--高溫處理--精加工--烘干--化成箔。電子鋁材料加工主要為化學加工，技術(shù)壁壘和毛利率都較高。尤其是高純鋁和化成箔，前者的高純度要求和后者精細的電學性能要求使這兩種產(chǎn)品的進入壁壘較高。

化成箔按照其電壓大小可分為低壓化成箔（化成電壓一般在幾十伏到180V）；中壓化成箔（化成電壓一般在200V伏到500V）;高壓化成箔（化成電壓一般在500V到1000V）。

在化成工藝中都會用到大功率直流電源，即電容器鋁箔大功率化成電源。以前各家化成企業(yè)主要采用可控硅整流器，該類型的整流器采用了五芯柱變壓器、高壓大功率晶閘管等技術(shù)，并且有恒壓、恒流和恒電流密度等特性。但是由于使用工頻變壓器和工作在低頻段，所以整流器體積大、重量重、效率低，性能的進一步提高也受到電體積的限制。20世紀80年代以后，國內(nèi)外相繼研制出第四代直流電源--高頻開關(guān)電源。變流裝置中的普通晶閘管逐漸被新型器件如電力晶體管(GTR)、場效應(yīng)晶體管（MOSFET）和絕緣柵雙極晶體管（IGBT）等取代。以MOSFET和IGBT為功率器件的整流器工作頻率提高至20～50KHZ,所以該類整流器又稱為高頻開關(guān)電源。其工作過程是將整流后的直流電源，逆變成高頻交流電源，再經(jīng)整流后獲得直流電源。由于采用的是高頻率開關(guān)工作模式，所以變壓器的體積和器件的功耗大大降低，功率因數(shù)和運行效率大大提高，是目前整流電源的發(fā)展方向。隨著IGBT器件功率增加、耐壓提高和應(yīng)用技術(shù)的日益成熟，IGBT必將在大多領(lǐng)域中取代晶閘管（SCR），以達到高效、節(jié)能目的。

產(chǎn)品特點：

1，采用PWM脈寬調(diào)制技術(shù)，進口的IGBT和MOSFET作為功率開關(guān)原器件。整機設(shè)計合理，性能*，使用我公司電源可明顯降低生產(chǎn)成本，提高用電效率，提高產(chǎn)品質(zhì)量。

2，體積小，重量輕，對電網(wǎng)污染小，功率因數(shù)高，轉(zhuǎn)換效率高，節(jié)能環(huán)保，功能齊全，性能穩(wěn)定可靠，生產(chǎn)工藝嚴格完善。整機電路板和器件涂有三防硅膠層，運用了防腐防潮，防秀的工藝制作，增強了產(chǎn)品的防腐蝕能力，延長了電源的使用壽命；工作效率達到90%以上，大大節(jié)省電鍍電解成本，實為表面處理行業(yè)理智的選擇。

3，電流精度<1%電壓精度≤1%,紋波系數(shù)≤1%，可提高鍍速，拒絕鈍化，增強鍍層表面的光澤度和鍍件暗角的鉆芯度。并可減少原材料的損耗，達到電鍍行業(yè)的各種特殊要求。

4，采用了風冷式和水冷式設(shè)計，安裝方便，操作簡單，并配有遠程控制盒

5，保護功能齊全：具有穩(wěn)流限壓，穩(wěn)壓限流，過流，過壓，過熱，過載，缺相，短路等保護功能。

6，具有軟啟動方式，工作狀態(tài)指示，及故障指示，恒壓恒流自動轉(zhuǎn)換，可加裝時間計時器，自己設(shè)置換向時間，數(shù)字顯示（電壓，電流），*方便用戶自由設(shè)置和使用。

7，可附加USB, RS23, RS485，CAN, GPIB, LAN,模擬量（0-5V,0-10V，4-20mA）PLC等多種通訊接口與計算機連接實現(xiàn)人機界面控制方便用戶遠程操作和控制。

技術(shù)參數(shù)：