光氧廢氣處理設(shè)備固體表面吸附了吸附質(zhì)后，一部被吸附的吸附質(zhì)可從吸附劑表面脫離，此現(xiàn)附。而當吸附進行一段時間后，由于表面吸附質(zhì)的濃集，使其吸附能力明顯下降而吸附凈化的要求，此時需要采用一定的措施使吸附劑上已吸附的吸附質(zhì)脫附，以協(xié)的吸附能力，這個過程稱為吸附劑的再生。因此在實際吸附工程中，正是利用吸附一再生一再吸附的循環(huán)過程，達到除去廢氣中污染物質(zhì)并回收廢氣中有用組分。

燃燒法用于處理高濃度Voc與有惡臭的化合物很有效，其原理是用過量的空氣使這些雜質(zhì)燃燒，大多數(shù)生成二氧化碳和水蒸氣，可以排放到大氣中。但當處理含氯和含硫的有機化合物時，燃燒生成產(chǎn)物中HCl或SO2，需要對燃燒后氣體進一步處理。

光氧廢氣處理設(shè)備

光催化是常溫深度反應(yīng)技術(shù)。光催化氧化可在室溫下將水、空氣和土壤中有機污染物*氧化成無毒無害的產(chǎn)物，而傳統(tǒng)的高溫焚燒技術(shù)則需要在*的溫度下才可將污染物摧毀，即使用常規(guī)的催化、氧化方法亦需要高溫。

從理論上講，只要半導體吸收的光能不小于其帶隙能，就足以激發(fā)產(chǎn)生電子和空穴，該半導體就有可能用作光催化劑。常見的單一化合物光催化劑多為金屬氧化物或硫化物，如 Ti0。、Zn0、ZnS、CdS及PbS等。這些催化劑各自對特定反應(yīng)有突出優(yōu)點，具體研究中可根據(jù)需要選用，如CdS半導體帶隙能較小，跟太陽光譜中的近紫外光段有較好的匹配性能，可以很好地利用自然光能，但它容易發(fā)生光腐蝕，使用壽命有限。相對而言，Ti02的綜合性能較好，是廣泛使用和研究的單一化合物光催化劑。

原理：將有臭味地氣體通過煙囪排至大氣，或用無臭空氣稀釋，降低惡臭物質(zhì)濃度以減少臭味。適用范圍：適用于處理中、低濃度的有組織排放的惡臭氣體。優(yōu)點：費用低、設(shè)備簡單。缺點：易受氣象條件限制，惡臭物質(zhì)依然存在。

利用臭氣中某些物質(zhì)易溶于水的特性，使臭氣成分直接與水接觸，從而溶解于水達到脫臭目的。適用范圍：水溶性、有組織排放源的惡臭氣體。優(yōu)點：工藝簡單，管理方便，設(shè)備運轉(zhuǎn)費用低 產(chǎn)生二次污染，需對洗滌液進行處理。缺點：凈化效率低，應(yīng)與其他技術(shù)聯(lián)合使用，對硫醇，脂肪酸等處理效果差。